سامسونگ قصد دارد تا سال 2021 میلادی، خط تولید انبوه چیپست های 3 نانومتری مبتنی بر لیتوگرافی GAAFET را راهاندازی کند. همچنین تولید تراشه های 7 نانومتری با لیتوگرافی EUV نیز از نیمه دوم سال جاری آغاز خواهد شد.
آخرین گزارش مالی سامسونگ که اخیراً منتشر شده، نشان دهنده کاهش قابل توجه سود این شرکت در سه ماهه پایانی سال 2018 است. این گزارش خبر از کاهش 9 درصدی درآمد سالانه و کاهش 38.5 درصدی به نسبت سهماهه پیشین میدهد. دلیل این کاهش شدید درآمد سامسونگ، افول در فروش گوشیهای هوشمند و همینطور کاهش قیمت تراشههای حافظه رم است. پیشبینی میشود این روند تا اواسط سال جاری ادامه یابد.
حالا این شرکت کرهای سعی دارد برای پر کردن جای خالی درآمد حاصل از فروش تراشههای حافظه، به تقویت کسب و کار تکنولوژی صنایع نیمه هادی اقدام کرده و به رقابت با TSMC بپردازد. به گفته مدیران سامسونگ، تولید انبوه تراشههای 7 نانومتری با لیتوگرافی به وسیله اشعه ماوراء بنفش (EUV) از نیمه دوم سال جاری آغاز میشود و تا سال 2021، خط تولید انبوه چیپستهای 3 نانومتری با لیتوگرافی GAAFET به راه خواهد افتاد.
بر اساس گزارش وبسایت Tomshardware، رایان شانگیون لی معاون بخش صنایع نیمه هادی سامسونگ گفته است که این شرکت از سال 2002 در حال توسعه معماری Gate-All-Around یا GAA بوده است. این معماری با استفاده از نانوچیپ، به طور قابل توجهی عملکرد ترانزیستورها را بهبود میبخشد.
سال گذشته سامسونگ اعلام کرد که تا سال 2020 از تراشههای 4 نانومتری با لیتوگرافی GAAFET ساخت خودش استفاده خواهد اما بسیاری از متخصصان از جمله ساموئل وانگ، معاون شرکت پژوهشی فناوری اطلاعات گارتنر، ادعای راهاندازی خط تولید انبوه تراشههای مبتنی بر لیتوگرافی GAAFET را تا پیش از 2022 گزاف دانستهاند. به هر حال وانگ نیز هماکنون قانع شده که سامسونگ به زودی تراشههای مبتنی بر لیتوگرافی GAAFET را به تولید خواهد رساند.
کلام آخربه نظر میرسد سامسونگ امسال تراشههای 7 نانومتری EUV را به تولید انبوه برساند. هر چند TSMC نیز فاصله چندانی با این امر ندارد اما برتری سامسونگ در این است که ابزارهای بازرسی انحصاری در اختیار دارد که هیچ نمونه تجاری مشابهی ندارند و از این بابت، از رقبای خود پیشی گرفته است. نظرات خود را در پلازامگ با ما به اشتراک بگذارید.